“行吧,”陈舟把张一凡让进了房间,“那就帮我建立分析模型吧。”



张一凡一愣,弱弱的问道:“啥分析模型?”



陈舟看到张一凡打开电脑的手,明显顿了顿,立马笑着说道:“金刚石薄膜制备工艺的分析模型,放心,很简单。”



说着,陈舟走回自己的电脑前,把昨天的研究成果甩给了张一凡。



随即,又丢给了张一凡一个联系方式。



张一凡奇怪道:“这人是?”



陈舟回道:“燕大计算机系的一个学长,你们俩一起搞这个分析模型。”



张一凡哦了一声,随即加了对方的联系方式。



这时,他才知道,陈舟在不知不觉中,又拉了个人。



这人也不是别人,正式upc竞赛第三人,方结明。



本来陈舟也只是试一试,看对方愿不愿意帮忙的。



但是令陈舟没想到的是,方结明很是爽快的便答应了。



陈舟在惊喜之余,也是连连道谢,顺便又提了提一起撸啊撸这事。



只不过,方结明连忙表示,戒了。



从上次upc结束后,就没打过了……



张一凡和方结明联系后,两人便开始了分析模型的构建工作。



这是很简单的模型,按照两人的预估,两个多小时,就能搞定。



陈舟这边,也把昨晚睡觉前整理出来的资料,再次打开。



依据着错题集的试错能力,不断的调整着制备工艺的参数。



“金刚石制备的过程中,高甲烷浓度下,衬底表面会有大量的碳氢前躯体,并且迁移率低,台阶上碳氢前驱体的过饱和度高。”



“台阶上碳氢前驱体在迁移过程中,极易与其它碳氢前驱体发生团聚,并发生形核。”



“同时,在没有发生迁移或迁移少的位置,碳氢前驱体会并入到晶体内。”



“因此,随着甲烷浓度升高,最终会导致无规则的生长形貌。”



陈舟想到这,便在草稿纸上写到:



【当甲烷流量低,碳氢前驱体的扩散长度大于阶梯的宽度,那么梯层上吸附物质的过饱和度将低于形核所需的临界值。】



【在这种情况下,到达梯层上的碳氢前驱体会扩散到另一台阶,从而形成层流式生长,层流式生长可以产生单一的外延表面结果,适合制备单晶金刚石。】



【因此,在衬底已选定的前提下,适当的降低甲烷浓度能够有效抑制无规则生长,促进层流式生长,增加较高质量金刚石外延的生长时间和厚度。】



写完这段话,陈舟又回头看了一眼,在旁边写下了一个区间。



【29】



这是初步拟定的甲烷体积分数的是错区间。



同样的思路,同样的方法,陈舟确定了工作压力、微波功率和衬底温度的试错区间。



但是要在这一批区间里,找到最合适的那个参数,还是需要时间的打磨。


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